RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Compara
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
42
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
7.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2181
3085
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KVR648-PSB 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link