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Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Compara
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Puntuación global
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
46
En 9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.3
10.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
46
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
10.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2181
2368
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
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