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Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB vs Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

Puntuación global
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Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB

Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB

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Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    11.4 left arrow 9.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    7.1 left arrow 6.8
    Valor medio en las pruebas
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB Razones a tener en cuenta
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
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  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 8500
    En 2 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    27 left arrow 27
  • Velocidad de lectura, GB/s
    11.4 left arrow 9.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.1 left arrow 6.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    8500 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1440 left arrow 1767

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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