RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
51
En 49% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
13.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
51
Velocidad de lectura, GB/s
13.5
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1932
2778
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link