RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
26
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
13.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.4
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
25
Velocidad de lectura, GB/s
13.5
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1932
2346
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Corsair CMT32GX5M2B5600C36 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link