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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Puntuación global
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
5.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
29
Velocidad de lectura, GB/s
9.0
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
5.7
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1274
2635
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
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