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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Puntuación global
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
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Razones a tener en cuenta
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
29
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
5.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
22
Velocidad de lectura, GB/s
9.0
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.7
7.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1274
2493
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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