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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
34
En 15% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
5.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
34
Velocidad de lectura, GB/s
9.0
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
5.7
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1274
2902
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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