RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
30
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
5.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
30
Velocidad de lectura, GB/s
9.0
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.7
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1274
3506
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
‹
›
Informar de un error
×
Bug description
Source link