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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
29
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.7
5.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
28
Velocidad de lectura, GB/s
9.0
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
5.7
14.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1274
3660
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Kingston 9905428-193.A00LF 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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