RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
44
En 34% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.6
9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
5.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
44
Velocidad de lectura, GB/s
9.0
10.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.7
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1274
2374
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link