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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
57
En 49% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
5.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
57
Velocidad de lectura, GB/s
9.0
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
5.7
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1274
2377
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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