RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
40
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
31
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1806
3439
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link