RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Puntuación global
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
44
En 9% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
44
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1806
3145
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link