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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
40
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.9
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.3
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
20.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
18.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1806
4217
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Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393B1G70QH0-CMA 8GB
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