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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
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Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
40
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1806
3446
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
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