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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
40
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1806
3429
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
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