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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
40
En -82% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
22
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1806
3192
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
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