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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Puntuación global
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
40
En -33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1806
2244
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
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