RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
40
En -21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
33
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1806
2876
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link