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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Puntuación global
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Razones a tener en cuenta
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
40
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1806
2480
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
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