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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Puntuación global
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
41
En 2% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.3
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
5.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
41
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
8.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
5.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1806
1704
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
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