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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Puntuación global
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
45
En 11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.3
11.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
45
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
11.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1806
2036
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
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