RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
40
En -67% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
24
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1806
2370
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link