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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Compara
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Puntuación global
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
27
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
15.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.2
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
27
Velocidad de lectura, GB/s
15.3
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.8
17.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2646
3837
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
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