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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Compara
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Puntuación global
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Puntuación global
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
29
En 14% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
15.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
29
Velocidad de lectura, GB/s
15.3
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.8
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2646
3190
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
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Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
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