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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Compara
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Puntuación global
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
36
En 31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
7.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
36
Velocidad de lectura, GB/s
15.3
9.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.8
7.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2646
2220
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
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