Comparación de la memoria RAM Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Puntuación global

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

25 73

En 66% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

15.3 15.2

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

9.8 9.1

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

21300 12800

En 1.66 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2646 1843

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns