RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Compara
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Puntuación global
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
29
En 21% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.3
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
5.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
29
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
18.3
Velocidad de escritura, GB/s
5.6
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1751
3442
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link