RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Compara
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Puntuación global
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
42
En 45% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
5.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
42
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.6
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1751
2597
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link