RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Compara
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Puntuación global
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
31
En 26% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
5.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
31
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
5.6
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1751
2554
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GAB 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link