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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Compara
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Puntuación global
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
23
En -5% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.4
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.8
5.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
22
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
20.4
Velocidad de escritura, GB/s
5.6
18.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1751
4382
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
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