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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Compara
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Puntuación global
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Puntuación global
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
39
En 41% menor latencia
Razones a tener en cuenta
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
5.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
39
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
5.6
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1751
3000
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OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB Comparaciones de la memoria RAM
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
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