RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Compara
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Puntuación global
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Puntuación global
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
39
En 41% menor latencia
Razones a tener en cuenta
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
5.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
39
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
5.6
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1751
3000
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link