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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Compara
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Puntuación global
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Puntuación global
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
24
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
5.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
24
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
5.6
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1751
3167
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
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