RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Compara
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Puntuación global
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.7
5.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
23
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
5.6
14.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1751
3156
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link