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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
25
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.8
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
23
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
17.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3905
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
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