Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB

Puntuación global
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Puntuación global
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Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB

Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    25 left arrow 33
    En 24% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    20.7 left arrow 16.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    16.0 left arrow 10.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 12800
    En 1.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    25 left arrow 33
  • Velocidad de lectura, GB/s
    16.1 left arrow 20.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    10.1 left arrow 16.0
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2764 left arrow 3500
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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