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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
15.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
7.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
25
En -9% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
23
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
2684
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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