RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
36
En 31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
14.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
36
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3192
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link