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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
34
En 26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
15.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
34
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3043
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
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