RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
36
En 31% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
36
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3044
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
ASint Technology SSZ2128M8-JGE1F 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link