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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
33
En 24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
16
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
33
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3238
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
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