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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
34
En 26% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
34
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3401
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
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