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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
34
En 26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
8.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
34
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
12.7
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
1718
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
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SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
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