RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
36
En 31% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
36
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3166
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link