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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Razones a tener en cuenta
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
25
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
23
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3011
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
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