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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Razones a tener en cuenta
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
25
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
24
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
2972
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
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