RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
34
En 26% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
34
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3604
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link