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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
25
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.9
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.9
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
24
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
19.9
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
15.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3779
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
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