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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
14.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
25
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
2945
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
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